收藏本站
New Product
V30100C, VF30100C, VB30100C & VI30100C
Vishay General Semiconductor
Document Number: 89010
Revision: 24-Jun-09
For technical questions within your region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
Figure 5. Typical Junction Capacitance
0.1
1
10
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8
1.0 1.2 1.4
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
TA
= 125 °C
TA
= 150 °C
TA
= 25 °C
0.001
0.01
0.1
1
100
10
10 20 30 40 50 60 70
80 90 100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (mA)
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 25 °C
10
1000
100
10 000
0.1 1 10 100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capaci
tance (pF)
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
Figure 7. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01 0.1 1 10 100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
Junction to Case
V(B,J)30100C
1
10
0.01 0.1 1 10 100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
Junction to Case
VF30100C
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
V30100PW-M3/4W DIODE SCHTKY DUAL 100V 15A TO3PW
V30150C-M3/4W DIODE SCHOTTKY 150V 30A TO220AB
V40100PW-M3/4W DIODE SCHTKY DUAL 100V 20A TO3PW
V50100PW-M3/4W DIODE SCHTKY DUAL 100V 25A TO3PW
V60200PGW-M3/4W DIODE SCHTKY DUAL 200V 30A TO3PW
V80100PW-M3/4W DIODE SCHTKY DUAL 100V 40A TO3PW
VB20200C-E3/8W DIODE 20A 200V DUAL SCHOTTKY
VB20200G-E3/8W DIODE 20A 200V DUAL SCHOTTKY
相关代理商/技术参数
V30100CHM3/4W 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:30A,100V,TRENCH SKY RECT.
V30100CHM3-4W 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V30100C-M3/4W 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:30A,100V,DUAL TRENCH SKY RECT.
V30100C-M3-4W 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V30100P 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V30100P_08 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 8 A
V30100P-E3/45 功能描述:肖特基二极管与整流器 30 Amp 100 Volt Dual TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
V30100PW 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier